أكاسيد عناصر الدورة الثالثة – حمضية وقاعدية ومترددة (مختبر افتراضي)

الكيمياءالكيمياء غير العضوية15–16 سنةمختبر افتراضي

جارٍ التحميل…

استخدمها مع صفي ✨ خصّصها بالذكاء الاصطناعي الإبلاغ عن مشكلة

مختبر افتراضي: احرق الصوديوم والمغنيسيوم والألومنيوم والسيليكون والفوسفور والكبريت في الأكسجين، وأضف كل أكسيد إلى ماء فيه الكاشف العام، ثم اختبره بحمض الهيدروكلوريك وهيدروكسيد الصوديوم. يعرض جدول النتائج والمعادلات الموزونة ومخطط التدرج أن Na₂O وMgO قاعديان، وأن Al₂O₃ متردد (ومعه ZnO للمقارنة)، وأن SiO₂ وP₄O₁₀ وSO₂ حمضية، مع ربط ذلك بالانتقال من البنية الأيونية إلى التساهمية العملاقة ثم الجزيئية البسيطة.

الدرس: عناصر الدورة الثالثة وأكاسيدها: التفاعل مع الأكسجين والماء، والطبيعة الحمضية القاعدية، والترابط

ماذا تعرض

تتغير أكاسيد عناصر الدورة الثالثة من قاعدية إلى حمضية. فأكسيدا الصوديوم والمغنيسيوم شبكتان أيونيتان تتفاعلان مع الماء فتعطيان محلولين قاعديين وتعادلان الأحماض. وأكسيد الألومنيوم أيوني مع بعض الصفة التساهمية، وهو متردد (أمفوتيري): لا يذوب في الماء، ويتفاعل مع الأحماض والقلويات معًا، مثل أكسيد الخارصين. وثاني أكسيد السيليكون مادة صلبة تساهمية عملاقة، لا تذوب في الماء لكنها حمضية تجاه القلوي الساخن. أما أكاسيد الفوسفور والكبريت فجزيئية بسيطة وتكوّن محاليل حمضية. وتتبع درجات الانصهار نوع الترابط: مرتفعة جدًا للأكاسيد الأيونية والتساهمية العملاقة، ومنخفضة للجزيئية.

طريقة الاستخدام

اختر «العنصر»، ثم اضغط «1. الحرق في الأكسجين». بعد ذلك اضغط «2. الإضافة إلى الماء + الكاشف» واقرأ pH على لوحة ألوان الكاشف العام، ثم «3. الاختبار بـ HCl» و«4. الاختبار بـ NaOH». ينفّذ «تنفيذ كل الخطوات» الخطوات الأربع بالترتيب. تدخل كل نتيجة في الجدول. كرّر مع العناصر الأخرى، ثم افتح «تدرج الدورة الثالثة». يمسح «إعادة الضبط» الجدول.

المعاملات القابلة للتغيير

  • العنصر الصوديوم (Na), المغنيسيوم (Mg), الألومنيوم (Al), السيليكون (Si), الفوسفور (P), الكبريت (S), الخارصين (Zn)، للمقارنة
  • العرض عند الفتح منضدة المختبر, تدرج الدورة الثالثة

أسئلة للاستكشاف

  1. لماذا يبقى الكاشف العام أخضر مع أكسيد الألومنيوم، مع أن هذا الأكسيد يتفاعل مع الحمض والقلوي معًا؟
  2. كيف تتغير قيمة pH لمحاليل الأكاسيد من الصوديوم إلى الكبريت، ولماذا؟
  3. لماذا درجة انصهار ثاني أكسيد السيليكون أعلى بكثير من درجة انصهار أكسيد الفوسفور (V)؟